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有源植入醫(yī)療器械核磁共振成像安全性評(píng)價(jià)方法研究
發(fā)表時(shí)間:2022-04-19 14:33:48
李澍,郝燁,王權(quán),任海萍* (中國(guó)食品藥品檢定研究院,北京 102629)

摘要 目的:在同樣標(biāo)準(zhǔn)、尺度下進(jìn)行有源植入醫(yī)療器械“MR兼容”性評(píng)價(jià),確保有源植入醫(yī)療器械 的使用安全和有效。方法:本文依據(jù)ISO/TS 10974:2018標(biāo)準(zhǔn),結(jié)合中國(guó)食品藥品檢定研究院的工作, 針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)中要求的各個(gè)試驗(yàn)的試驗(yàn)依據(jù)、試驗(yàn)方法、接收準(zhǔn)則進(jìn)行了研究。結(jié)果:標(biāo)準(zhǔn)共涉及6項(xiàng)已知 或可預(yù)見的風(fēng)險(xiǎn),分別為溫升、振動(dòng)、力、力矩、非預(yù)期的刺激以及器械故障。為了評(píng)價(jià)這些風(fēng)險(xiǎn),本文介紹了和6項(xiàng)風(fēng)險(xiǎn)相對(duì)應(yīng)的9個(gè)試驗(yàn)項(xiàng)目,以此評(píng)價(jià)有源植入醫(yī)療器械的核磁兼容性。結(jié)論:目前國(guó)內(nèi) 針對(duì)有源植入醫(yī)療器械核磁兼容性的評(píng)價(jià)剛剛起步,一些檢測(cè)手段和方法處在借鑒和摸索之中,本文系 統(tǒng)性介紹了評(píng)價(jià)項(xiàng)目的考慮角度和方法,為國(guó)內(nèi)從事有源植入物核磁兼容性設(shè)計(jì)及評(píng)價(jià)者提供參考。 關(guān)鍵詞: 有源植入性醫(yī)療器械;核磁兼容;ISO/TS 10974:2018 中圖分類號(hào):R28 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1002-7777(2019)10-1109-07 doi:10.16153/j.1002-7777.2019.10.005 Study on Safety Evaluation Methods for Magnetic Resonance Imaging of Active Implantable Medical Devices Li Shu, Hao Ye, Wang Quan, Ren Haiping* (National Institutes for Food and Drug Control, Beijing 102629, China) Abstract Objective: To evaluate the "MR compatibility" of active implantable medical devices under the same standards and scales to ensure the safe and effective use of active implantable medical devices. Methods: According to the ISO/TS 10974: 2018 standard and the work of National Institutes for Food and Drug Control, the test basis, test methods and acceptance criteria of each test required by the standard were studied. Results: Six known or predictable risks which were involved in the standard were found out, namely temperature rise, vibration, force, moment, unexpected stimulus and device failure. In order to evaluate these risks, nine experiments corresponding to six risks were introduced in the paper to evaluate the MR compatibility of active implantable medical devices. Conclusion: At present, the evaluation of MR compatibility of active implantable medical devices in China has just started, and some testing methods are still in the process of exploration. This paper systematically introduces the considerations and methods of evaluation in order to provide references for the design and evaluation of MR compatibility of active implantable medical devices in China. Keywords: active implantable medical devices; MR compatibility; ISO/TS 10974:2018


1 背景 

近年來,隨著生物電子技術(shù)的發(fā)展,有源植入醫(yī)療器械的使用范圍越來越廣泛,以起搏器及心 律轉(zhuǎn)復(fù)除顫器、神經(jīng)肌肉刺激器、人工耳蝸、左心 室輔助裝置為代表的新型有源植入類醫(yī)療器械相繼 問世,挽救了無數(shù)人的生命。然而,由于有源植入 醫(yī)療器械內(nèi)部的電子元器件可能對(duì)電磁場(chǎng)較為敏 感,易受強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾而導(dǎo)致設(shè)備功能異常。而 核磁共振成像(MRI)掃描時(shí)可產(chǎn)生3種類型的電 磁場(chǎng):靜態(tài)場(chǎng)B0、梯度場(chǎng)G、射頻場(chǎng)RF。其中靜態(tài) 磁場(chǎng)B0引力可造成有源植入設(shè)備內(nèi)的磁敏感金屬發(fā) 生震動(dòng),導(dǎo)致設(shè)備故障、位移或者損壞;梯度磁場(chǎng) 可能造成設(shè)備工作模式的異常轉(zhuǎn)變和復(fù)位[1];射頻 磁場(chǎng)可通過經(jīng)皮電纜及導(dǎo)線導(dǎo)致與人體接觸的部位 組織溫度升高,造成器官受損甚至組織穿孔[2]。所 以,對(duì)于使用有源植入醫(yī)療器械的患者來說,核磁 共振檢查一直列為禁忌癥[3]。然而,MRI是重要的 臨床影像學(xué)手段,尤其對(duì)于神經(jīng)系統(tǒng)和軟組織病變 的評(píng)估具有獨(dú)到的價(jià)值[4-5]。與CT/PET相比,它無 放射線損害,無骨性偽影,有高度的軟組織分辨能 力,對(duì)顯示血管的結(jié)構(gòu)、軟組織之間相互鑒別,有 其獨(dú)到之處[6]。所以對(duì)于使用有源植入類醫(yī)療器械 的患者來說,核磁共振檢查應(yīng)用的限制可能會(huì)對(duì)疾 病的診斷產(chǎn)生較大的影響[7]。 

在這樣的需求矛盾下,使用非磁性敏感元 件、并通過特殊設(shè)計(jì)的機(jī)殼和導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)“MR兼 容”的有源植入醫(yī)療器械應(yīng)運(yùn)而生。因此,在同樣 標(biāo)準(zhǔn)和尺度下進(jìn)行科學(xué)、有效的有源植入醫(yī)療器械 “MR兼容”性評(píng)價(jià),確保有源植入醫(yī)療器械產(chǎn)品 的安全性和有效性,是世界各國(guó)的醫(yī)療器械生產(chǎn)者 以及監(jiān)管者的目標(biāo)[4,8]。在此背景下,國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化 組織于2012年首次發(fā)布了關(guān)于有源植入醫(yī)療器械核 磁兼容性的評(píng)價(jià)方法ISO/TS 10974:2012[9],并不斷 討論、更新評(píng)價(jià)方法,并于2018年4月發(fā)布了ISO/ TS 10974:2018《患者帶有有源植入性醫(yī)療器械用 核磁共振成像的安全性評(píng)定》[10]。 

目前,國(guó)內(nèi)針對(duì)有源植入醫(yī)療器械核磁兼容 性的評(píng)價(jià)剛剛起步,因此,在產(chǎn)品研發(fā)及質(zhì)量評(píng)價(jià) 過程中缺乏相應(yīng)評(píng)價(jià)和驗(yàn)證平臺(tái)。本文旨在系統(tǒng)性 介紹ISO/TS 10974:2018標(biāo)準(zhǔn)(以下簡(jiǎn)稱標(biāo)準(zhǔn))所考 慮的評(píng)價(jià)角度和方法,為國(guó)內(nèi)從事有源植入醫(yī)療器械核磁兼容性設(shè)計(jì)及評(píng)價(jià)者提供參考。 

2 總體概述 

ISO/TS 10974:2018標(biāo)準(zhǔn)共歸納出6項(xiàng)已知或可 預(yù)見的風(fēng)險(xiǎn),分別為溫升、振動(dòng)、力、力矩、非預(yù) 期的刺激以及器械故障。為了評(píng)價(jià)這些風(fēng)險(xiǎn),本文 介紹了和風(fēng)險(xiǎn)相關(guān)的9個(gè)試驗(yàn)項(xiàng)目,見圖1和表1。 其中,射頻場(chǎng)加熱試驗(yàn)(編號(hào)1)評(píng)價(jià)由于射頻電 場(chǎng)輻射造成的局部比吸收率(SAR)升高以及器件 感應(yīng)電流增大所導(dǎo)致的溫升。梯度場(chǎng)加熱試驗(yàn)(編 號(hào)2)評(píng)價(jià)梯度場(chǎng)產(chǎn)生渦流導(dǎo)致的器件溫升。梯度 場(chǎng)振動(dòng)試驗(yàn)(編號(hào)3)評(píng)價(jià)靜態(tài)場(chǎng)B0和梯度場(chǎng)的聯(lián) 合作用下器件的運(yùn)動(dòng)。力和力矩試驗(yàn)(編號(hào)4和5) 評(píng)價(jià)靜態(tài)場(chǎng)B0與磁性材料相互作用下器件受力情 況。梯度場(chǎng)感生電勢(shì)試驗(yàn)(編號(hào)6)評(píng)價(jià)梯度場(chǎng)在 器械外部產(chǎn)生的感應(yīng)電壓所引起的輸出脈沖的改 變,但不涉及器械故障。射頻場(chǎng)感應(yīng)整流電壓試驗(yàn) [編號(hào)8(1)]評(píng)價(jià)在感應(yīng)電壓足夠高的條件下,遠(yuǎn) 端電極上產(chǎn)生的非預(yù)期電壓脈沖對(duì)設(shè)備的影響。故 障試驗(yàn)[編號(hào)7、編號(hào)8(2)和編號(hào)9]則評(píng)價(jià)在場(chǎng)的 作用下引發(fā)的設(shè)備故障所導(dǎo)致的性能下降、功能喪 失、意外反應(yīng)等。 

表1 MRI對(duì)有源植入醫(yī)療器械產(chǎn)生的潛在風(fēng)險(xiǎn)和相應(yīng)的評(píng)價(jià)試驗(yàn)方法 




圖1 MRI 3個(gè)輸出場(chǎng)(射頻場(chǎng)、梯度場(chǎng)和靜態(tài)場(chǎng))及所包含風(fēng)險(xiǎn)的相互關(guān)系

3 9個(gè)試驗(yàn)項(xiàng)目的評(píng)價(jià)方法 

按照表1順序,依次介紹每一個(gè)潛在風(fēng)險(xiǎn)產(chǎn)生 的原理、試驗(yàn)方案設(shè)計(jì)及其評(píng)價(jià)方法。 
3.1 評(píng)價(jià)射頻場(chǎng)加熱對(duì)患者造成傷害(功率沉 積) 射頻場(chǎng)在與生物體相互作用的過程中,給予 生物體的電磁能量(宏觀上表現(xiàn)為加熱作用)稱為生物電磁劑量。為了精確衡量人體電磁輻射劑量, 學(xué)術(shù)界采用比吸收率(Specific Absorption Rate, SAR)來定量描述生物組織對(duì)電磁場(chǎng)能量的吸收。 

其中,P為功率沉積,E為感應(yīng)電場(chǎng)的均方根 值,σ為電導(dǎo)率,ρ為組織密度,c為比熱容, t表 示局部溫升,υ為功率沉積需要評(píng)估的體積,t為時(shí) 間, Tbackgnd為在未安裝有源植入醫(yī)療器械時(shí)所測(cè)得 的背景溫度, Ttotal為安裝有源植入式醫(yī)療器械時(shí)所 測(cè)得的系統(tǒng)溫度。 

需要說明的是,試驗(yàn)要求體外測(cè)試環(huán)境與目 標(biāo)組織在電磁學(xué)參數(shù)上相一致,從而保證體外環(huán)境 和體內(nèi)環(huán)境的SAR值是大致相等的。這樣實(shí)驗(yàn)室測(cè) 得的功率沉積也是有源植入醫(yī)療器械所產(chǎn)生的體內(nèi) 功率沉積。測(cè)試過程中,需要同時(shí)衡量功率沉積的 空間分布和強(qiáng)度。空間分布與有源植入醫(yī)療器械的 局部幾何特性和周圍組織參數(shù)有關(guān)。強(qiáng)度與有源植 入醫(yī)療器械吸收射頻能量的能力相關(guān)。 

3.2 評(píng)價(jià)梯度感應(yīng)加熱對(duì)患者造成傷害 

梯度感應(yīng)加熱是由于梯度場(chǎng)BG(t)在有源植入醫(yī) 療器械導(dǎo)電外殼或內(nèi)導(dǎo)體表面(如電池組件表面比吸收率的具體定義為單位質(zhì)量的生物組織吸收的 電磁功率,單位是W/kg。射頻感應(yīng)加熱對(duì)患者造 成的傷害與環(huán)境溫度、射頻持續(xù)時(shí)間以及器械植入 方式有關(guān)。局部組織溫度升高最終會(huì)造成組織損傷 或植入器械療效降低。 測(cè)量射頻場(chǎng)加熱應(yīng)首先測(cè)量在未安裝有源植 入醫(yī)療器械條件下的背景比吸收率(溫升),然后 測(cè)量將器械植入后的系統(tǒng)比吸收率(溫升)。評(píng)價(jià) 指標(biāo)功率沉積是因植入器械所產(chǎn)生的凈比吸收率 (溫升),見公式(1)。 



和電路板表面)會(huì)產(chǎn)生渦流(Eddy Currents),進(jìn)而造成加熱作用。一般來說,測(cè)量梯度感應(yīng)加熱溫 升時(shí),需要考慮特定核磁共振脈沖序列BG(t)的均方 根值、暴露時(shí)間、梯度場(chǎng)法線方向和器械平面形成 的夾角。植入物表面積越大,導(dǎo)電率越高,加熱就越大。 

評(píng)價(jià)渦流造成的感應(yīng)加熱需要將有源植入醫(yī) 療器械曝露在規(guī)定的梯度場(chǎng)BG(t)中,并測(cè)量由此產(chǎn) 生的溫升。試驗(yàn)環(huán)境采用最小熱對(duì)流、只存在熱傳 導(dǎo)路徑的環(huán)境(如凝膠溶液或保溫箱)。試驗(yàn)中, 不需要將器械曝露在核磁共振脈沖序列BG(t)的最大 值中,只要所用磁場(chǎng)產(chǎn)生的溫升足夠大,其信號(hào)與 噪音比至少達(dá)到10∶1,則可以按比例縮減暴露騷 擾信號(hào)BG(t)并進(jìn)行測(cè)試,在計(jì)算溫升時(shí)按相應(yīng)比例 還原即可。 

3.3 防止梯度感應(yīng)振動(dòng)對(duì)患者造成傷害 

MRI的梯度場(chǎng)會(huì)在有源植入醫(yī)療器械導(dǎo)電表面產(chǎn)生渦流。這些渦流會(huì)形成時(shí)變磁矩,時(shí)變磁矩與 靜態(tài)場(chǎng)(B0)相互作用會(huì)使導(dǎo)電表面和器械產(chǎn)生振 動(dòng)。梯度感應(yīng)振動(dòng)與典型的有源植入醫(yī)療器械振動(dòng) (如運(yùn)輸、患者活動(dòng))不同。梯度感應(yīng)振動(dòng)的力和 力矩都是在器械內(nèi)部的,并可能會(huì)導(dǎo)致患者損傷, 并引起功能下降或治療水平減弱。 

因梯度感應(yīng)振動(dòng)導(dǎo)致的有源植入醫(yī)療器械故 障的評(píng)估方法詳見圖2。首先根據(jù)制造商宣稱所能 耐受的最大磁場(chǎng)強(qiáng)度確定試驗(yàn)用MRI掃描儀的輸出,并確定尺度因子(若輸出值是臨床最大值的 20%,則尺度因子為5)。在此輸出的條件下,測(cè) 試有源植入醫(yī)療器械的振動(dòng)響應(yīng),由此響應(yīng)乘以尺度因子,則為實(shí)際振動(dòng)水平??紤]到不同的核磁序 列條件下有源植入醫(yī)療器械振動(dòng)的形式和水平不同,試驗(yàn)中需要記錄所有序列的振動(dòng)狀態(tài),并合 并成最嚴(yán)酷的振動(dòng)波形,通過振動(dòng)臺(tái)復(fù)現(xiàn)此振動(dòng)水平,并在振動(dòng)試驗(yàn)中評(píng)估有源植入醫(yī)療器械的性能。

圖2 梯度感應(yīng)振動(dòng)測(cè)試流程圖

3.4 防止B0位移力對(duì)患者造成傷害 

靜磁場(chǎng)(B0)產(chǎn)生的位移力可能會(huì)導(dǎo)致含有磁 性材料的器械發(fā)生非預(yù)期移動(dòng)。有源植入醫(yī)療器械 一般包含順磁性材料、抗磁性材料和鐵磁材料。對(duì)于順磁性材料、抗磁性材料或低磁化飽和度的鐵磁 材料,最大位移力點(diǎn)位于靜磁場(chǎng)(B0)和磁場(chǎng)的空 間梯度( △ B0)的乘積最大的點(diǎn)。對(duì)于高磁化飽和度的鐵磁材料,最大位移力出現(xiàn)在磁場(chǎng)的空間梯度( △ B0)最大的位置。此部分內(nèi)容具體測(cè)試方法可 參考YY/T 0987.2《外科植入物磁共振兼容性第2部 分 磁致位移力試驗(yàn)方法》[11]。

3.5 防止B0感應(yīng)力矩對(duì)患者造成傷害 

靜態(tài)磁場(chǎng)(B0)產(chǎn)生的磁感應(yīng)力矩可能會(huì)導(dǎo)致 含有磁性材料的器械發(fā)生非預(yù)期移動(dòng)。磁感應(yīng)力矩 隨B0變化,應(yīng)在靜態(tài)磁場(chǎng)均勻的位置進(jìn)行測(cè)量(如 核磁共振掃描儀的等中心點(diǎn),即MRI機(jī)架的旋轉(zhuǎn) 中心點(diǎn))。此部分內(nèi)容具體測(cè)試方法可參考YY/T 0987.5《外科植入物磁共振兼容性第5部分 磁致扭 矩試驗(yàn)方法》中的規(guī)定[12]。 

3.6 防止梯度場(chǎng)感應(yīng)電勢(shì)對(duì)患者造成傷害 

外部感應(yīng)電勢(shì)是由于有源植入醫(yī)療器械單個(gè) 導(dǎo)線電極之間、多導(dǎo)線電極之間或電極和組織接觸 的外殼之間會(huì)形成梯度場(chǎng)感應(yīng)電壓。此電壓使得有 源植入醫(yī)療器械端口和導(dǎo)電外殼之間產(chǎn)生電流。若 有源植入醫(yī)療器械阻抗過低,所產(chǎn)生的電流會(huì)很 大,則會(huì)導(dǎo)致與電極接觸的組織受到非預(yù)期刺激。 這些刺激可能不會(huì)導(dǎo)致器械失效或故障,但可能會(huì)使患者受到不同程度的傷害。 

梯度場(chǎng)感應(yīng)電勢(shì)對(duì)患者造成的傷害通過評(píng)估 梯度場(chǎng)產(chǎn)生的非預(yù)期電荷、電流或治療輸出失真來 衡量。試驗(yàn)適用于含有兩個(gè)或以上組織接觸電極的 有源植入醫(yī)療器械。通過將組織等效接口電路連接 到有源植入醫(yī)療器械進(jìn)行測(cè)試,分別進(jìn)行以下3個(gè) 試驗(yàn)來評(píng)估梯度感應(yīng)效應(yīng):1)測(cè)量每個(gè)梯度脈沖 下的梯度感應(yīng)電荷和電流;2)測(cè)量有源植入醫(yī)療 器械暴露在長(zhǎng)梯度脈沖序列中的平均整流電流; 3)評(píng)估掃描期間,有源植入醫(yī)療器械在輸出治療 運(yùn)行狀態(tài)下的梯度脈沖失真。 

3.7 防止B0感應(yīng)故障對(duì)患者造成傷害 

有源植入醫(yī)療器械暴露在MRI的B0場(chǎng)中會(huì)影響 其功能,包括器械重置、程序改變、剩磁、電池耗 竭以及永久性損壞。本試驗(yàn)根據(jù)有源植入醫(yī)療器械 在MRI 1.5T靜態(tài)磁場(chǎng)(B0)下的潛在風(fēng)險(xiǎn)類別,通 過分級(jí)并定義合適的試驗(yàn)來評(píng)估潛在影響。 

表2列出了會(huì)受到靜態(tài)磁場(chǎng)影響的有源植入醫(yī) 療器械組件。若組件在MRI掃描期間禁止使用,則 不需要進(jìn)行附加試驗(yàn)。3個(gè)級(jí)別關(guān)注的問題及試驗(yàn) 方法不同。主體思想是根據(jù)器械的預(yù)期用途來選擇 恰當(dāng)?shù)脑囼?yàn)方法,所有器械需要在試驗(yàn)后迅速檢測(cè) B0剩磁的潛在影響。

表2 有源植入醫(yī)療器械基于靜磁場(chǎng)感應(yīng)故障的分級(jí)及試驗(yàn)方法

3.8 保護(hù)患者不受射頻感應(yīng)故障及射頻整流傷害 

有源植入醫(yī)療器械暴露在MRI的射頻場(chǎng)可能會(huì)出現(xiàn)如下問題:未能提供預(yù)期治療功能、編程錯(cuò)誤、器械重置、器械永久損傷以及射頻整流引起的 組織刺激等。這些影響可能是短暫或永久的,而且可能會(huì)產(chǎn)生對(duì)使用者造成安全隱患。射頻感應(yīng)故障 測(cè)試方法將包含輻射暴露測(cè)試和注入射頻測(cè)試, 取決于受測(cè)試的有源植入醫(yī)療器械系統(tǒng)類型,見表3。 

輻射暴露測(cè)試:對(duì)于沒有外部導(dǎo)體或只含電 小長(zhǎng)度外部導(dǎo)體(物理尺寸遠(yuǎn)小于電磁波波長(zhǎng))的 有源植入醫(yī)療器械,可采用TEM橫電波小室產(chǎn)生所 需要的射頻電場(chǎng),進(jìn)行測(cè)試。由于器械尺寸很小, 因此測(cè)試所用的均勻域體積可以很小。 

注入射頻暴露測(cè)試:通過射頻注入網(wǎng)絡(luò)將射頻能量注入射頻傳導(dǎo)路徑,若有源植入醫(yī)療器械外 殼包含屏蔽,射頻注入網(wǎng)絡(luò)需將屏蔽作為參考地或 參考節(jié)點(diǎn)。若有源植入醫(yī)療器械含有可能刺激組織 的電極,則射頻輸入網(wǎng)絡(luò)應(yīng)能在注入騷擾的同時(shí)監(jiān)控端口整流電流。

3.9 保護(hù)患者不受梯度感應(yīng)故障傷害 

MRI梯度磁場(chǎng)可能對(duì)有源植入醫(yī)療器械運(yùn)行或 性能造成負(fù)面影響,如導(dǎo)致無法提供預(yù)期治療、內(nèi)存損壞、短暫或永久器械編程設(shè)置丟失等。這些副作用可能由于梯度磁場(chǎng)穿透器械外殼到達(dá)內(nèi)部電路所產(chǎn)生的感應(yīng)電壓,或是植入器械的導(dǎo)線所產(chǎn)生的外部感應(yīng)電壓。這些影響可能是短暫或永久的,而且可能會(huì)產(chǎn)生對(duì)有源植入醫(yī)療器械使用者造成不 良影響的安全隱患。梯度感應(yīng)故障傷害測(cè)試同樣根 據(jù)其預(yù)期用途進(jìn)行測(cè)試,如果有源植入醫(yī)療器械在 MRI掃描時(shí)輸出保持激活,則應(yīng)設(shè)置器械工作在典 型治療模式上,測(cè)試中重點(diǎn)觀察輸出電流、電壓和 輸出極性。若器械可選擇MRI掃描時(shí)禁用輸出,則測(cè)試需重點(diǎn)考察試驗(yàn)后足夠短的時(shí)間內(nèi)器械是否能恢復(fù)輸出,是否存在瞬態(tài)故障等。 

具體的測(cè)試內(nèi)容包括輻射騷擾測(cè)試和注入騷擾 測(cè)試,詳見表4。所有有源植入醫(yī)療器械都需進(jìn)行輻射測(cè)試,根據(jù)器械類型,考慮是否進(jìn)行注入騷擾測(cè)試。一般來說,如果器械含有長(zhǎng)導(dǎo)線電極,或器械外殼外部安裝多個(gè)電極,則應(yīng)進(jìn)行注入騷擾測(cè)試。

表3 射頻電磁兼容性測(cè)試方法選擇


表4 各種有源植入醫(yī)療器械適用的測(cè)試方法


4 結(jié)論 

本文針對(duì)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)《在體有源植入性醫(yī)療器 械用核磁共振成像安全性評(píng)價(jià)研究》進(jìn)行簡(jiǎn)單的介紹和歸納整理。針對(duì)使用有源植入醫(yī)療器械并進(jìn)行核磁共振掃描患者,歸納出6項(xiàng)已知或可預(yù)見的風(fēng)險(xiǎn),分別為溫升、振動(dòng)、力、力矩、非預(yù)期的刺激以及器械故障。為了評(píng)價(jià)這些風(fēng)險(xiǎn),共設(shè)計(jì)了9個(gè)試驗(yàn)項(xiàng)目。本文針對(duì)每個(gè)試驗(yàn)的設(shè)計(jì)依據(jù)、試驗(yàn)方 法、接收準(zhǔn)則進(jìn)行了介紹,希望對(duì)國(guó)內(nèi)從事有源植入醫(yī)療器械核磁兼容性設(shè)計(jì)及評(píng)價(jià)者有所幫助。

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