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GJB548《微電子器件試驗(yàn)方案和程序》規(guī)定了軍用微電子器件的氣候環(huán)境試驗(yàn)、機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)、電學(xué)試驗(yàn)和檢驗(yàn)程序，以及為保證微電子器件滿足預(yù)定用途所要求的質(zhì)量和可靠性而必須的控制措施和限制條件。標(biāo)準(zhǔn)適用于軍用微電子器件。
起草單位的變化
GJB548B-2005的起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部電子第四研究所、西安電子科技大學(xué)、中國電子科技集團(tuán)公司第 24研究所、中國電子科技集團(tuán)公司第43 研究所、中國電子科技集團(tuán)公司第55 研究所。
GJB548C-2021的起草單位：工業(yè)和信息化部電子第四研究院、北京航空航天大學(xué)、中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所、中國電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所、中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、中國航天科技集團(tuán)有限公司第九研究院第七七一研究所、中國航天科技集團(tuán)有限公司第九研究院第七七二研究所、濟(jì)南市半導(dǎo)體元件實(shí)驗(yàn)所。
試驗(yàn)方法數(shù)量的變化
GJB548A-1996包含71個(gè)試驗(yàn)方法
GJB548B-2005包含74個(gè)試驗(yàn)方法
GJB548C-2021包含78個(gè)試驗(yàn)方法
標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的變化
GJB548B-2005與GJB548A-1996相比主要變化如下：
（1）對4.5試驗(yàn)條件中根據(jù)我國實(shí)際操作情況進(jìn)行了改寫；
（2）對試驗(yàn)方法及圖、表的編號不再加A、B.....等版本號形式，而是對修改過的試驗(yàn)方法加“.1，.2”6等形式；
（3）增加了試驗(yàn)方法1034《染色滲透試驗(yàn)》、試驗(yàn)方法2029《陶瓷片式載體焊接強(qiáng)度(破壞性推力試驗(yàn))》和試驗(yàn)方法2035《載帶自動焊焊接質(zhì)量的超聲檢測》；
（4）在方法5004和方法5005中刪除了B1級的有關(guān)內(nèi)容；
（5）刪除了附錄A、附錄B、附錄C、附錄D。
GJB548C-2021與GJB548B-2005相比主要變化如下:
1. 正文
（1）更新并增加了引用文件；
（2）增加了失效模式、失效機(jī)理、標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)等術(shù)語定義；
（3）增加了電測試應(yīng)在最壞電源電壓條件下進(jìn)行的要求；
（4）細(xì)化了電測試溫度控制要求(尤其對于混合電路)。
2. 方法 1012.1 熱性能
（1）基于當(dāng)前紅外熱像設(shè)備大多已具備輻射率修正能力，將涂漆要求改為可選操作；
（2）增加了涂層材料對峰值結(jié)溫的影響說明。
3. 方法1014.3 密封
（1）增加了A5試驗(yàn)條件；
（2）提高了宇航級混合集成電路器件漏率失效判據(jù)；
（3）細(xì)化了氨質(zhì)譜檢漏法固定方法的內(nèi)腔容積分段；
（4）增加了累積氦質(zhì)譜檢漏法；
（5）細(xì)化了光學(xué)檢漏法有關(guān)要求。
4. 方法1017.1 中子輻射
（1）增加了部分術(shù)語定義；
（2）細(xì)化了輻射源要求，增加了電離總劑量限制指標(biāo)。
5. 方法1018.2 內(nèi)部氣體成分分析
（1）刪除了程序2和程序33；
（2）細(xì)化了質(zhì)譜儀的校準(zhǔn)要求；
（3）增加了真空箱和傳遞通道的描述；
（4）增加了實(shí)驗(yàn)室應(yīng)提供對未知或已存在但未達(dá)到識別濃度的氣體質(zhì)譜描述說明的規(guī)定；
（5）增加了實(shí)驗(yàn)室無權(quán)判定器件合格或不合格的規(guī)定。
6. 方法 1019.3 電離輻射(總劑量)
（1）增加了部分術(shù)語定義；
（2）增加了低溫輻射試驗(yàn)規(guī)定；
（3）增加了使用干冰保存樣品的規(guī)定；
（4）增加了低劑量率增強(qiáng)效應(yīng)(ELDRS)的判定試驗(yàn)表征試驗(yàn)。
7. 方法 1020.2 劑量率感應(yīng)鎖定
劑量測量系統(tǒng)中增加了閃爍探測器和康普頓二極管。
8. 方法 1034.1 染料滲透
（1）增加了試驗(yàn)設(shè)備，并細(xì)化了規(guī)格參數(shù)；
（2）修改了浸滲劑粘度；
（3）增加了正常明視場條件下的剖面拍照要求。
9. 方法2003.2 可焊性
（1）增加了部分術(shù)語定義；
（2）增加了材料和設(shè)備；
（3）對蒸汽老化作了分類編寫；
（4）對試驗(yàn)條件作了分類編寫；
（5）增加了附錄A和附錄B；
（6）除了可焊性評價(jià)準(zhǔn)則表。
10. 方法2004.3 引線牢固性
（1）增加了部分術(shù)語定義；
（2）增加了試驗(yàn)條件A1引線釬焊牢固性和試驗(yàn)條件E引線鍍層牢固性；
（3）修改了剛性引線試驗(yàn)程序；
（4）彎曲應(yīng)力試驗(yàn)和引線疲勞試驗(yàn)增加了翼型引線和J形引線試驗(yàn)程序。
11. 方法2005.1 振動疲勞
增加了峰值加速度與振幅和頻率的計(jì)算關(guān)系。
12. 方法2009.2 外部目檢
（1）增加了焊球/焊柱陣列引出端缺陷判據(jù)；
（2）增加了玻璃填充底座封裝的玻璃密封處開口泡的缺陷判據(jù)。
13. 方法2010.2 內(nèi)部目檢(單片電路)
（1）增加了受控環(huán)境(潔凈室)要求:
（2）修改了 S 級金屬化層跨接的擠出金屬缺陷判據(jù)。
14. 方法2011.2 鍵合強(qiáng)度
（1）增加了引線鍵合點(diǎn)剪切試驗(yàn);
（2）增加了拉力鉤放置位置示意圖。
15. 方法2012.2 X射線檢查
（1）增加了實(shí)時(shí)成像X 射線檢查的設(shè)備和程序要求
（2）增加了有缺陷密封判據(jù)的示意圖。
16. 方法2015.2 耐溶劑性
修改了刷樣品時(shí)的手壓力。
17. 方法2017.2 內(nèi)部目檢(混合電路)
（1）刪除了一般要求；
（2）在檢查中增加了附加檢查的規(guī)定；
（3）鍵合檢查通用要求增加了 H級和K級的擠出金屬缺陷判據(jù)。
18. 方法2018.2 掃描電子顯微鏡(SEM)檢查
（1）增加了對于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）等平坦化工藝不需要SEM檢查的要求；
（2）增加了采用芯片或已封裝器件的抽樣方案；
（3）增加了阻擋層/附著層不需要查的情況；
（4）修改了鈍化層臺階放大倍數(shù)范圍。
19. 方法2019.3 芯片切強(qiáng)度
（1）增加了部分術(shù)語定義；
（2）修改了失效判據(jù)和分離模式。
20. 方法 2020.2 粒子碰撞噪聲檢測
（1）降低了預(yù)置值峰值；
（2）增加了設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲采集與分析可選功能；
（3）增加了不允許試驗(yàn)大型器件的規(guī)定；
（4）增加了器件放置位置范圍要求；
（5）增加了試驗(yàn)頻的計(jì)算公式；
（6）修改了腔高和頻率典型對應(yīng)值。
21. 方法 2023.3 非破壞性鍵合拉力
增加了拉力鉤放置位置示意圖。
22. 方法2030.1 芯片粘接的超聲檢測
增加了圖例及反射/透射模式對照圖。
23. 方法2032.1 無源元件的目檢
（1）在檢查中增加了附加檢查的規(guī)定；
（2）細(xì)化了判據(jù)格式說明；
（3）修改了薄膜元件檢查中的金屬化劃傷判據(jù)；
（4）修改了平面厚膜元件檢查中的金屬化劃傷判據(jù)；
（5）修改了平面厚膜元件檢查中的金屬化空洞判據(jù)；
（6）修改了平面厚膜元件檢查中的厚膜電阻缺陷判據(jù)；
（7）修改了聲表面波元件檢查中的基板材料缺陷判據(jù)；
（8）修改了聲表面波元件檢查中的多余物缺陷判據(jù)；
（9）修正了部分?jǐn)?shù)據(jù)換算錯(cuò)誤。
24. 方法2036 耐焊接熱
新增試驗(yàn)方法。
25. 方法2037鉛錫焊料成分分析-X射線光檢測
新增試驗(yàn)方法。
26. 方法2038焊柱陣列封裝的破壞性引線拉力
新增試驗(yàn)方法。
27. 方法3015.1靜電敏感度的分級
（1）修改了交換引出端以獲得極性相反波形的規(guī)定；
（2）增加了空腳引出端的試驗(yàn)要求；
（3）細(xì)化了同名電源引出端的分組規(guī)定；
（4）增加了可以放置旁路電阻來消除脈沖前電壓的選擇；
（5）增加了放電結(jié)束后可以將所有引線同時(shí)接地的選擇。
28. 方法3023集成電路鎖定
新增試驗(yàn)方法。
29. 方法5004.3篩選程序
增加了附錄A。
30. 方法 5005.3鑒定檢驗(yàn)和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)程序
（1）B級B組檢驗(yàn)增加了芯片剪切或芯片粘接強(qiáng)度試驗(yàn)；
（2）D組檢驗(yàn)增加了耐接熱分組；
（3）E組檢驗(yàn)增加了單粒子效應(yīng)分組；
（4）增加了部分注釋。
31. 方法5007.2 品圓批驗(yàn)收
（1）增加了金屬化層厚度和鈍化層厚度按 GJB 597B-2012 執(zhí)行的規(guī)定；
（2）增加了GaAs、GaN工藝晶圓厚度要求。
32. 方法 5009.1 破壞性物理分析
該方法內(nèi)容已被GJB4027工作項(xiàng)目1100所代替。
33. 方法5010.3 復(fù)雜單片微電路檢驗(yàn)程序
E組檢驗(yàn)增加了瞬態(tài)電離輻射、輻射鎖定和單粒子效應(yīng)分組。
34. 方法5013.1 GaAs 工藝的晶圓制造控制和接收程序
（1）修改了工藝監(jiān)測圖形(PM)；
（2）增加了PM合格率和PM設(shè)置要求。
資料參考：GJB548A-1996、GJB548B-2005、GJB548C-2021
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