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隨著智能電網(wǎng)、汽車電氣化等應用領(lǐng)域的發(fā)展，由于高功率密度和緊湊性，功率半導體器件被廣泛應用于幾乎所有的電子制造業(yè)，目前使用領(lǐng)域正從傳統(tǒng)工業(yè)制造和4C產(chǎn)業(yè)向新能源、電力機車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)展。如何準確評估功率器件的可靠性變得至為關(guān)鍵。

功率器件常見測試項目

1. 產(chǎn)品特性測試

- 靜態(tài)參數(shù)測試（靜態(tài)參數(shù)·特性曲線）：

最基本的測試項目，可簡單的評估器件的性能好壞。

各種靜態(tài)參數(shù)為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據(jù)、同時在變頻器，焊機，軌道交通中的功率器件檢測維修，發(fā)揮了至關(guān)重要的作用。

- 動態(tài)參數(shù)測試（開關(guān)特性·反向恢復·電容特性·柵極電荷）：

動態(tài)參數(shù)的優(yōu)良決定著器件的開關(guān)性能。

通常我們希望功率半導體器件的開關(guān)速度盡可能得高、開關(guān)過程短、損耗小。但是在實際應用中，影響開關(guān)特性的參數(shù)有很多，如續(xù)流二極管的反向恢復參數(shù)，柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容、柵極電荷的存在，所以針對于此類參數(shù)的測試，變得尤為重要。開關(guān)特性決定裝置的開關(guān)損耗、功率密度、器件應力以及電磁兼容性。直接影響變換器的性能。因此準確的測量功率半導體器件的開關(guān)性能具有極其重要的意義。

- 短路能力：功率半導體器件的關(guān)鍵性能指標

SiC MOSFET具有低損耗、耐高壓、導通電流大、開關(guān)速度快和溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點，在電動汽車、鐵路、風力發(fā)電、光伏逆變器、柔性直流輸電等商用領(lǐng)域均得到應用。隨著SiC MOSFET應用場景進一步拓寬，所面對的工況也日益復雜，可能面對過流乃至更極端的短路的挑戰(zhàn)。器件的短路耐受能力直接決定了對故障保護和預防器件失效的設(shè)計，因此對其進行測試是十分必要且重要的。

- 極限能力測試：如浪涌電流測試，雪崩能量測試。

浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。雪崩耐量即向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量。

2. 可靠性測試

老化可靠性壽命測試：為了保證產(chǎn)品的耐久性能，也就是產(chǎn)品使用的壽命。半導體功率器件廠家在產(chǎn)品定型前都會做一系列的可靠性試驗，以確保產(chǎn)品的長期耐久性能。

這里一般涉及到：功率循環(huán)、高溫反偏、高溫柵偏、高溫高濕反偏、溫度循環(huán)、溫度沖擊、高低溫存儲、間歇性壽命測試等各項測試。