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AEC-Q200認(rèn)證高溫儲存試驗要求
發(fā)表時間:2023-11-18 14:07:52
AEC-Q200認(rèn)證的環(huán)境試驗條件，主要是依據(jù)MIL-STD-202與JEDEC22A-104規(guī)范來制定的，不同的零件除了試驗溫度不一樣之外，其施加電源（電壓、電流、負(fù)載）要求也會有所不同，高溫儲存屬于不施加偏壓與負(fù)載的環(huán)境試驗。Delta德爾塔儀器提供符合AEC-Q200認(rèn)證的電子電氣元器件安規(guī)檢測設(shè)備，接下來為大家介紹AEC-Q200認(rèn)證高溫儲存試驗要求。


AEC-Q200認(rèn)證高溫儲存試驗依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)

電子及電氣元件試驗方法 MIL-STD-202H:2015 Method 108

AEC-Q200認(rèn)證高溫儲存試驗要求

1. 薄膜電容、網(wǎng)絡(luò)低通濾波器、網(wǎng)絡(luò)電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h；
2. 電感、變壓器、電阻：125℃/1000h；
3. 變阻器：150℃/1000h；
4. 鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容：最大額定溫度/1000h。

車規(guī)被動元件AEC-Q200認(rèn)證測試要求

1. 每個環(huán)境應(yīng)力測試項目前后都要進(jìn)行電參數(shù)測試，特別要求除外。
2. 1000小時的長時間老化測試會額外增加250，500，1000小時幾個階段。
3. 一般電參數(shù)測試會是在室溫狀態(tài)（25±5℃）下進(jìn)行，應(yīng)力測試完成后24±4小時內(nèi)進(jìn)行。
4. 電參數(shù)測試需在客戶規(guī)格書中宣稱的低溫，室溫，高溫中進(jìn)行測試。
5. AEC-Q200測試的接受條件和要求參數(shù)均依據(jù)客戶規(guī)格書進(jìn)行判定，所有測試只接受零失敗。