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GB/T 2423.1-2008

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A：低溫

現(xiàn)行

2

GB/T 2423.2-2008

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B：高溫

現(xiàn)行

3

GB/T 2423.3-2016

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Cab：恒定濕熱試驗(yàn)

現(xiàn)行

4

GB/T 2423.4-2008

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Db 交變濕熱（12h＋12h循環(huán)）

現(xiàn)行

5

GB/T 2423.5-2019

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則：沖擊

現(xiàn)行

6

GB/T 2423.7-2018

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法  試驗(yàn)Ec:粗率操作造成的沖擊（主要用于設(shè)備型樣品）

現(xiàn)行

7

GB/T 2423.10-2019

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Fc：振動(dòng)(正弦)

現(xiàn)行

8

GB/T 2423.15-2008

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法  試驗(yàn)Ga和導(dǎo)則: 穩(wěn)態(tài)加速度

現(xiàn)行

9

GB/T 2423.16-2022

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)J和導(dǎo)則：長霉

現(xiàn)行

10

GB/T 2423.17-2008

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ka：鹽霧

現(xiàn)行

11

GB/T 2423.18-2021

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Kb：鹽霧,交變(氯化鈉溶液)

現(xiàn)行

12

GB/T 2423.19-2013

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法  試驗(yàn)Kca：高濃度二氧化硫試驗(yàn)

現(xiàn)行

13

GB/T 2423.20-2014

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)

現(xiàn)行

14

GB/T 2423.21-2008

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)M：低氣壓

現(xiàn)行

15

GB/T 2423.22-2012

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)N：溫度變化

現(xiàn)行

16

GB/T 2423.23-2013

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Q：密封

現(xiàn)行

17

GB/T 2423.24-2022

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)S：模擬地面上的太陽輻射及太陽太陽輻射試驗(yàn)和氣候老化試驗(yàn)導(dǎo)則

現(xiàn)行

18

GB/T 2423.27-2020

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法  試驗(yàn)方法和導(dǎo)則：溫度/低氣壓或溫度/濕度/低氣壓綜合試驗(yàn)

現(xiàn)行

19

GB/T 2423.28-2005

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)T：錫焊

現(xiàn)行

20

GB/T 2423.30-2013

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)XA和導(dǎo)則：在清洗劑中浸漬

現(xiàn)行

21

GB/T 2423.32-2008

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ta：潤濕稱量法可焊性

現(xiàn)行

22

GB/T 2423.33-2021

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Kca：高濃度二氧化硫試驗(yàn)

現(xiàn)行

23

GB/T 2423.34-2012

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Z/AD：溫度/濕度組合循環(huán)試驗(yàn)

現(xiàn)行

24

GB/T 2423.35-2019

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)和導(dǎo)則 氣候（溫度、濕度）和動(dòng)力學(xué)（振動(dòng)、沖擊）綜合試驗(yàn)

現(xiàn)行

25

GB/T 2423.37-2006

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)L：沙塵試驗(yàn)

現(xiàn)行

26

GB/T 2423.38-2021

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)R：水試驗(yàn)方法和導(dǎo)則

現(xiàn)行

27

GB/T 2423.39-2018

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Ee和導(dǎo)則：散裝貨物試驗(yàn)包含彈跳

現(xiàn)行

28

GB/T 2423.40-2013

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法  試驗(yàn)Cx：未飽和高壓蒸汽恒定濕熱

現(xiàn)行

29

GB/T 2423.41-2013

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　風(fēng)壓

現(xiàn)行

30

GB/T 2423.43-2008

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 振動(dòng)、沖擊和類似動(dòng)力學(xué)試驗(yàn)樣品的安裝

現(xiàn)行

31

GB/T 2423.45-2012

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Z/ABDM：氣候順序

現(xiàn)行

32

GB/T 2423.47-2018

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Fg：聲振

現(xiàn)行

33

GB/T 2423.48-2018

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Ff:振動(dòng)　時(shí)間歷程和正弦拍頻法

現(xiàn)行

34

GB/T 2423.50-2012

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法  試驗(yàn)Cy: 恒定濕熱 主要用于元件的加速試驗(yàn)

現(xiàn)行

35

GB/T 2423.51-2020

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Ke：流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn)

現(xiàn)行

36

GB/T 2423.52-2003

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)77：結(jié)構(gòu)強(qiáng)度與撞擊

現(xiàn)行

37

GB/T 2423.53-2005

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分  試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Xb 由手的摩擦造成標(biāo)記和印刷文字的磨損

現(xiàn)行

38

GB/T 2423.54-2022

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Xc：流體污染

現(xiàn)行

39

GB/T 2423.55-2023

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Eh：錘擊試驗(yàn)

現(xiàn)行

40

GB/T 2423.56-2023

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法  試驗(yàn)Fh：寬帶隨機(jī)振動(dòng)和導(dǎo)則

現(xiàn)行

41

GB/T 2423.57-2008

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2-81部分 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ei 沖擊 沖擊響應(yīng)譜合成

現(xiàn)行

42

GB/T 2423.58-2008

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fi：振動(dòng)　混合模式

現(xiàn)行

43

GB/T 2423.59-2008

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/ABMFh：溫度（低溫、高溫）/低氣壓/振動(dòng)（隨機(jī)）綜合

現(xiàn)行

44

GB/T 2423.60-2008

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)U：引出端及整體安裝件強(qiáng)度

現(xiàn)行

45

GB/T 2423.61-2018

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法  試驗(yàn)和導(dǎo)則：大型試件砂塵試驗(yàn)

現(xiàn)行

46

GB/T 2423.62-2018

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Fx和導(dǎo)則：多輸入多輸出振動(dòng)

現(xiàn)行

47

GB/T 2423.63-2019

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法  試驗(yàn)方法和導(dǎo)則：溫度/低氣壓或溫度/濕度/低氣壓綜合試驗(yàn)

現(xiàn)行

48

GB/T 2423.64-2023

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法　試驗(yàn)Fj：振動(dòng)　長時(shí)間歷程再現(xiàn)

現(xiàn)行

49

GB/T 2423.101-2008

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)：傾斜和搖擺

現(xiàn)行

50

GB/T 2423.102-2008

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)：溫度（低溫、高溫）/低氣壓/振動(dòng)（正弦）綜合